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漏源电压BV DSS (V)(Min.): | 650 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.): | 70 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.): | 74 |
最(zuì)大漏极电流Id(on)(A): | 47 |
通道极性(xìng): | N沟道(dào) |
封(fēng)装/温度(℃): | TO-247-3L/-55~125 |
描述(shù): | 650V,74mΩ,47A,N沟道基(jī)于超级结(jié)技术的功率MOSFET |
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