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  • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    150

    导（dǎo）通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    180

    最大漏极（jí）电流Id(on)(A)：

    20

    通（tōng）道极性：

    N沟道（dào）

    封（fēng）装/温度（dù）(℃)：

    TO-220F-3L/-55~125

    描述：

    600V,180mΩ,20A,N沟（gōu）道基于超级结技术的功率MOSFET


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