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  • 漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    115

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    150

    最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

    24

    通道极性：

    N沟道（dào）

    封装（zhuāng）/温度(℃)：

    TO-220F-3L/-55~125

    描述：

    600V,150mΩ,24A,N沟道基于（yú）超级结技术的功率（lǜ）MOSFET



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