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  • 漏源电压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    480

    导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    600

    最大漏（lòu）极电流Id(on)(A)：

    7

    通道（dào）极（jí）性（xìng）：

    N沟（gōu）道

    封装/温度(℃)：

    TO-251-3L/-55~125

    描（miáo）述：

    650V,600mΩ,7A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET


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