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  • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    120

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    150

    最（zuì）大漏极电流Id(on)(A)：

    24

    驱动电压(V)：

    10

    通道极（jí）性：

    N沟道

    封（fēng）装/温（wēn）度(℃)：

    TO-220F-3/-55~125

    描述：

    600V,150mΩ,24A,N沟（gōu）道基于超级结技术的功率MOSFET



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