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  • 漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    250

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    290

    最大漏（lòu）极电流（liú）Id(on)(A)：

    15

    通道极（jí）性：

    N沟道

    封装/温（wēn）度(℃)：

    TO-220F-3L/-55~125

    描述：

    650V,290mΩ,15A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET


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