kok(中国)官方网站-登录入口



  • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    550

    导（dǎo）通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    170

    导（dǎo）通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    190

    最（zuì）大漏极电流Id(on)(A)：

    20

    通道极性：

    N沟道

    封装/温度(℃)：

    TO-220F-3L/-55~125

    描述：

    550V,190mΩ,20A,N沟道基于超级结技术的功（gōng）率MOSFET


    kok(中国)官方网站-登录入口

    kok(中国)官方网站-登录入口