kok(中国)官方网站-登录入口



  • 漏源电压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    120

    导通电（diàn）阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    150

    最大（dà）漏（lòu）极电流Id(on)(A)：

    24

    驱动电压(V)：

    10

    通道极性：

    N沟道

    封装/温度(℃)：

    TO-247-3/-55~125

    描述：

    600V,150mΩ,24A,N沟道基（jī）于超（chāo）级结技（jì）术的功率MOSFET


    kok(中国)官方网站-登录入口

    kok(中国)官方网站-登录入口