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  • 漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导（dǎo）通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    480

    导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    600

    最大（dà）漏（lòu）极电流Id(on)(A)：

    7

    通（tōng）道极（jí）性：

    N沟道

    封装/温度(℃)：

    TO-251-3L(IPAK)/-55~125

    描述：

    650V,600mΩ,7A,N沟道基于（yú）超（chāo）级结技术的功率MOSFET



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