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  • 漏（lòu）源（yuán）电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

    550

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    530

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    580

    最大漏（lòu）极（jí）电（diàn）流Id(on)(A)：

    8

    通道极（jí）性（xìng）：

    N沟道

    封装/温度(℃)：

    TO-220F-3L/-55~125

    描（miáo）述：

    550V,580mΩ,8A,N沟道基（jī）于（yú）超级结技术（shù）的功率（lǜ）MOSFET


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