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  • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    550

    导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    110

    导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    140

    最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

    25

    通（tōng）道极性：

    N沟道

    封装（zhuāng）/温度(℃)：

    TO-220F-3L/-55~125

    描述：

    550V,140mΩ,25A,N沟道基于超（chāo）级结技术的功率MOSFET


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