CW32L010系列产品是基于 eFlash 的单芯片低功（gōng）耗微控（kòng）制器，集成了主频（pín）高达 48MHz 的（de） ARM® Cortex®-M0+ 内核、高速嵌入式存储器（多（duō）至 64K 字节 FLASH 和多（duō）至 4K 字节 SRAM）以及一系（xì）列全面的增强型外（wài）设和 I/O 口。

内部框图

所（suǒ）有型号都提供（gòng）全套的通信接口（二路 UART、一路 SPI 和（hé）一（yī）路 I2C）、12 位高速 ADC、四组通用和（hé）基本定（dìng）时器、一组（zǔ）低功（gōng）耗定（dìng）时器以（yǐ）及一组高级控制 PWM 定时器。

CW32L010 可以在 -40℃到 85℃的温度范围（wéi）内（nèi）工作（zuò），供电电压宽达 1.62V ~ 5.5V。支持 Sleep 和 DeepSleep两种低功耗工作模式CW32L010 可以在 -40℃到 85℃的温度范围内工作，供电电压宽达（dá） 1.62V ~ 5.5V。支持 Sleep 和DeepSleep两（liǎng）种低（dī）功耗工（gōng）作模式。

确保高访问速度：可确保指令的快速执行，满足实时性（xìng）要求（qiú）高（gāo）的应用场景。

易于升级迭代：在（zài）同等成本下（xià），扩大存储容量（liàng），为（wéi）用户提供同级最宽裕的程序和非易失存储空（kōng）间，使得产品在（zài）面临功（gōng）能升级或迭代时（shí），能够更加灵（líng）活地进行软件更新和扩展。

减少EEPROM依赖：通过提供充足的非易失性存储（chǔ），减少了对外（wài）部EEPROM的依赖，降低了系统成本（běn）和（hé）复（fù）杂（zá）性。

耐用性更高：Flash擦写（xiě）寿（shòu）命高（gāo）达10,000次（cì），符合标（biāo）杆（gǎn）要求（qiú），确保了（le）产品的长期稳定（dìng）运行。

2、黑（hēi）客级代码安全防护

在微控（kòng）制器（MCU）领域，保护用户的代（dài）码和知识（shí）产权至关重要。CW32L010系列MCU，以其（qí）创新的安全（quán）特性，为用户提供（gòng）了一个坚不可摧的代码（mǎ）保（bǎo）护（hù）解决（jué）方案（àn）。

尽管目前大（dà）多数（shù）MCU都支持多种安全等级，阻止（zhǐ）通过SWD/ISP接口读（dú）取Flash内容（róng）。但通过（guò）下载间谍程（chéng）序，用挟持（chí）内核的方式对Flash指令区做（zuò）数据（jù）访问一般都被（bèi）允许。

CW32L010系（xì）列产品（pǐn）可以（yǐ）阻止这个（gè）入（rù）侵，我（wǒ）们允许用户划（huá）定一块指令存储区域，只能通过指（zhǐ）令总线取指令执行，不允（yǔn）许通（tōng）过（guò）数（shù）据（jù）总（zǒng）线访（fǎng）问数据。在这个区域内，即使攻击者尝试通过下（xià）载间谍程序挟持内核，也无法访问这块被保护的存储（chǔ）区域。用（yòng）户（hù）可以将包含（hán）敏感算法和关键功能的代码库存储在该区域，确保这些（xiē）核心资（zī）产（chǎn）只能被调用，无法被（bèi）复制或篡改。

超低（dī）功耗工作模式非常多，一般用户较关注待机电流（常温/高温）、全速运行电（diàn）流等几个主要（yào）指标。

CW32L010采用特别工艺制（zhì）程，将（jiāng）待机（jī）电（diàn）流控（kòng）制（zhì）在（zài）0.3uA，高温待机（jī）电流是（shì）竞品（pǐn）平均水平的1/4~1/8。

5、RTC补偿精度是（shì）0.060ppm，支持亚秒级读数

CW32L010在设计时对（duì）RTC补（bǔ）偿机制进行了优化（huà），可选择32，128，256秒为一个补偿周期，最精细的补（bǔ）偿精度可达到0.060ppm，支持亚秒级读数。

6、全面升级的（de）低功耗串（chuàn）口，支持（chí）LIN、RS485硬件使能

低功（gōng）耗串口接收（shōu）数据可灵活配置接口电平，可（kě）产生关键字中断和（hé）帧超时中（zhōng）断，支持LIN、RS485硬件使能、TXD和（hé）RXD互（hù）换及内部回环功能（néng）、LSB/MSB硬（yìng）件转换。

7、85℃ Latch Up测试成绩优异，闩（shuān）锁门限（xiàn）测试成绩高达±600mA

在MCU的设计和应（yīng）用中，静电放电（ESD）的防（fáng）护（hù）能力是衡量产品可靠（kào）性的重要（yào）指标之一。其中高温Latch Up（闩锁）测试可以说明一定（dìng）问（wèn）题，CW32L010在（zài）高温Latch Up（闩锁）测试中表现出（chū）色（sè），闩锁门限测试（shì）成绩高达±600mA，远高（gāo）于行业（yè）一般（bān）水平，相比竞品一般水平（píng）为3~6倍。强大的ESD防护（hù）能够保护MCU内部数（shù）据不受（shòu）静电放电的影响以及在各种（zhǒng）环境下（xià）的长期稳定运行（háng）。

8、16路ADC输入2M采样率，采样（yàng）保持（chí）时（shí）间可独（dú）立（lì）配置

9、内部时钟源特性无（wú）惧挑（tiāo）剔

CW32L010系列产品提（tí）供 QFN20、TSSOP20、SOP16 三（sān）种不同的封装形式（shì），不（bú）同封装的产品所能实现的功能有所不同，具体（tǐ）情况（kuàng）如下表所示：

 CW32L010 家族（zú）产品功能列表（biǎo）